一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器
浙江工业大学理学院; 浙江杭州310023; 中国科学院宁波材料技术与工程研究所; 浙江宁波315201
忆阻器
zno纳米线
一步掩膜法
电致阻变
摘要：本文基于单根ZnO纳米线（NW），采用一步掩膜的方法制备了Au／ZnONW／Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为，开关比可达10^5以上。低阻态具有半导体导电特性，推测忆阻行为可能来源于ZnONW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工艺简单，制备过程对器件污染少，因此是制备纳米线器件的有效方法。
简介：《材料科学与工程学报》（CN：33-1307/T）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
