摘要：本研究在单晶硅基底表面自组装制备了3-氨丙基三乙氧基硅烷（APTES）自组装薄膜，并在此基础上进行化学镀和电镀研究，最终得到了致密均匀的铜膜，镀层与单晶硅基底通过配位键连接，粘结力强。利用循环伏安（CV）法探索得到了最佳电镀工艺参数为：电流密度1．56A／dm^2，电镀时间600s。借助接触角测试仪测定了不同试样表面的润湿性，通过X射线能谱仪（EDX）、扫描电子显微镜（SEM）对镀层的元素含量和表面形貌进行了表征。获得的铜镀层致密均匀并呈现金属光泽。

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