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直流磁控溅射功率对溅射生长GZO薄膜光电性能的影响

姚婷婷; 杨勇; 李刚; 仲召进; 张宽翔; 蒋继文; 金克武; 曹欣; 吴可凡; 王芸; 马立云; 彭寿 蚌埠玻璃工业设计研究院、浮法玻璃新技术国家重点实验室; 安徽蚌埠233000; 大连交通大学; 辽宁大连116028; 蚌埠市第二中学; 安徽蚌埠233000
gzo薄膜   溅射功率   电学性能   光学性能  

摘要:本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明,溅射功率对GZO薄膜电阻率有显著的影响。溅射功率为210W时薄膜呈现最低电阻率为3.31×10·Ω·cm,可见光波段平均光学透光率接近84%。随着溅射功率的增加,薄膜表面形貌和生长形态发生较大变化,并直接得到具有一定凸凹不平的微结构,GZO薄膜的致密性先增加后降低。

简介:《材料科学与工程学报》(CN:33-1307/T)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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