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掺硅a-C∶H材料光学性质的分子动力学模拟

王炎; 张铭; 潘妍宏; 王昭辉; 楚上杰; 林申晔 北京工业大学材料科学与工程学院; 北京100124
分子动力学模拟   非晶碳氢   电子结构   光学性能  

摘要:利用分子动力学方法,对掺Si的非晶碳氢材料的结合键、C-sp3含量、电子结构、光学性能等物理性质进行了理论模拟研究。研究结果表明,在Si掺杂量小于8%时,随Si掺杂量的增加,Csp3含量,C-Si键数量均呈现增大的趋势,而C-C键数量则有所降低。在光学特性上,在波长为400-800nm范围内,其透过率在Si掺杂量为1.5%时达到最大值,然后,随Si掺杂量增加其透过率先减小后增大,并在掺杂量为4.5%处达到一个透过率的极小值。此外,当Si掺杂量为4.5%时,其反射率和吸收系数最大。

简介:《材料科学与工程学报》(CN:33-1307/T)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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