不同基底对退火制备Ni纳米岛掩模形貌的影响
南京邮电大学电子科学与工程学院; 南京210023; 南京大学电子科学与工程学院; 南京210023
gan
退火
ni纳米岛
制备
摘要：目前，刻蚀自组装在GaN薄膜上Ni纳米岛的掩模的方法是制备GaN纳米柱阵列常用手段。但是。这将对后续制备出的纳米柱产生Ni污染。除此之外，直接将GaN系的材料暴露在高温下进行Ni纳米岛掩模的制备，会对GaN材料表面产生一定的热腐蚀损伤。因此，以GaN、SiO2、Al2O3和SixNy分别为基底，对退火自组装在这4种基底上的Ni纳米岛形貌进行了较为系统的研究。发现850℃的退火温度下，Al2O3基底上Ni薄膜形成的纳米岛的形貌最为规整，为最优化衬底。
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