摘要：为揭示硅对砷胁迫下烟草叶绿荧光特性的影响,以漂浮育苗的云烟87为试材,以Na 3AsO 4·12H 2O为砷源,Na 2SiO 3·9H 2O为硅源开展水培试验,试验设置5个处理;对照(CK)、0.25 mmol/L As^5+(As 0.25 )、0.35 mmol/L As^5+(As 0.35 )、1.0 mmol/L SiO^2+0.25 mmol/L As^5+(As 0.25 +Si)、1.0 mmol/L SiO^2+0.25 mmol/L As^5+(As 0.35 +Si)。结果表明,砷胁迫下烟草φ PSⅡ、 F v/ F m、 S m、φ Eo 、ψ o显著或极显著降低,说明砷胁迫导致PSⅡ反应中心受损,受体侧 PQ 库容量变小,电子传递受到抑制,从而使电子传递速率下降。硅可使砷胁迫下烟草光反应中心保持较高的活性,使无效能利用所引起的热耗散( DI o/ RC )降低,对光合器官的结构性能参数( PI ABS )和单位反应中心的电子传递能力( ET o/ RC )均有增加。

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