摘要：碳化硅作为新兴的一种第三代半导体材料，现已在电力电子行业得到非常广泛的应用。碳化硅应用技术的发展趋势必然会对晶片表面状况有着越来越高的要求，而这将是目前亟待解决的问题。本文简单介绍机械抛光、机械化学抛光、重点分析磁流变抛光技术原理，并通过大量试验得到碳化硅晶片通过磁流变抛光技术无论是晶片表面状况还是工作效率均有了很大的提高，这对该技术应用到实际生产中有很好的指导和参考意义。

简介：《价值工程》（CN：13-1085/N）是一本有较高学术价值的大型旬刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社