摘要：阻变存储器(RRAM)是新一代存储技术的理想代表之一,利用旋涂法和喷墨打印法制备了Ag/IGZO/ITO结构的RRAM,首先在ITO玻璃上旋涂IGZO薄膜,再在IGZO薄膜上打印Ag,制备MIM结构的器件,并使用半导体参数分析仪(KEITHLEY-4200A-SCS)测试其电学性能,测试结果显示其具有双极组变特性。

简介：《农业技术与装备》（CN：14-1343/TH）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。

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