Microelectronic Engineering
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  • 国际简称:MICROELECTRON ENG
  • 参考译名:微电子工程
  • ISSN:0167-9317
  • E-ISSN:1873-5568

Microelectronic Engineering

杂志介绍:

Microelectronic Engineering是一本以ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC为研究方向的国际优秀学术杂志,是由Elsevier出版的一本English杂志,该杂志定期发表与ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究领域相关的原创研究论文、简短交流和评论、实验室研究文档以及行业研究的高水平学术成果、最新科研理论。为全球同行业研究人员架起沟通的桥梁,致力于加速该领域的发展,为该领域的发展做出重要贡献。

  • Q2 JCR分区
  • 4区 中科院分区
  • SCIE 数据库收录
  • 2.6 影响因子
基本信息:
出版商:Elsevier
出版年份:1983
CiteScore:5.3
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
出版地区:NETHERLANDS
是否OA:未开放
SJR:0.503
年发文量:100
出版周期:Monthly
是否预警:
SNIP:0.847
文章自引率:0.0434...
出版语言:English
H-index:89
Gold OA文章占比:15.94%
研究类文章占比:91.00%

Microelectronic Engineering杂志简介

Microelectronic Engineering杂志是一本国际优秀期刊,是一本未开放获取期刊。该杂志近三年影响因子分别为:2023年2.6、2022年2.3、2021年2.662。该杂志近三年CiteScore评价值分别为:2023年5.3、2022年5.5、2021年5.8。该刊专门致力于推进ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的研究,涵盖了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的各个方面,汇集所有专家,促进ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的更好协作和信息共享。该期刊为ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的科研人员提供了一个高影响力的论坛,使该领域的科研人员、从业人员和学生能够接触到尖端的经验性调查分析、学术对话以及行业科研成果的最新发展。通过收录高质量的原创论文和评论论文,促进ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的应用与发展。该期刊还将该领域的创新与应用,以提高研究的质量和实用性。近年来在该刊上发文的国家和地区主要有:Yemen(发文量1)、Wales(发文量3)、Vietnam(发文量2)、Ukraine(发文量2)、USA(发文量47)、UNITED ARAB EMIRATES(发文量2)。

Microelectronic Engineering是一本由Elsevier出版社发行的知名ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC期刊。该杂志社联系方式ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。审稿过程是确保期刊质量的关键环节。Microelectronic Engineering杂志的审稿速度平均需要 约6.0个月 。这一时间周期既体现了编辑部对稿件质量的严格把关,也反映了审稿专家对学术研究的尊重和支持。在这个过程中,作者们可以充分利用这段时间对自己的研究成果进行完善和优化,以提高论文的质量和影响力。如果您对该期刊感兴趣,并希望了解更多关于投稿流程、投稿要求和技巧的信息,您可以咨询本站的客服老师,我们将帮助您了解期刊的投稿要求、审稿流程以及可能遇到的问题,并根据您的具体情况提供相应的建议和解决方案。

Microelectronic Engineering杂志近期中国学者发表的论文主要有:

  • 1、Investigation of trapping/de-trapping dynamics of surface states in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors based on dual-gate structures Author: Luan, Tiantian; Jiang, Qimeng; Huang, Sen; Wang, Xinhua; Jin, Hao; Guo, Fuqiang; Yao, Yixu; Fan, Jie; Yin, Haibo; Wei, Ke; Li, Yankui; Jiang, Haojie; Li, Junfeng; Liu, Xinyu
  • 2、Soybean-based memristor for multilevel data storage and emulation of synaptic behavior Author: Wang, Lu; Li, Wenhao; Wen, Dianzhong
  • 3、La-doped BiFeO3 junction based random access multilevel nonvolatile memory Author: Li, Dong; Zhu, Xiaodong; Wu, Yanan; Zhao, Jian; Zhang, Kaimin; Li, Rui; Hao, Danni; Ma, Yanqing; Moro, Ramiro; Ma, Lei
  • 4、A dual-mass fully decoupled MEMS gyroscope with optimized structural design for minimizing mechanical quadrature coupling Author: Wu, Zhongye; Feng, Ronghui; Sun, Chengliang; Wang, Peng; Wu, Guoqiang
  • 5、Dynamical analysis, circuit implementation, and simultaneous application of a novel four-dimensional hyperchaotic system based on cosine functions Author: Zhang, Jie; Hou, Jinyou; Xu, Longhao; Zhu, Xiaopeng; Xie, Qinggang
  • 6、Machine learning algorithm for the structural design of MEMS resonators Author: Gu, Liutao; Zhang, Weiping; Lu, Haolin; Wu, Yuting; Fan, Chongyang

WOS(JCR)分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 157 / 352

55.5%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.2%

学科:OPTICS SCIE Q2 45 / 119

62.6%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 179

55%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 74 / 140

47.5%

学科:OPTICS SCIE Q3 64 / 120

47.08%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 88 / 179

51.12%

WOS(JCR)分区是科睿唯安公司制定的分区,每年出版一本《期刊引用报告》)。JCR分区可以帮助学者和研究人员选择合适的期刊发表自己的研究成果,提高论文的可见性和影响力。其次,JCR分区也是评估学者和研究机构绩效的重要指标之一。许多高校和科研机构会根据研究人员发表的论文数量和影响因子来评估其学术水平和研究能力。

CiteScore(2024年最新版)

CiteScore SJR SNIP 学科类别 分区 排名 百分位
5.3 0.503 0.847 大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q2 127 / 434

70%

大类:Physics and Astronomy 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 68 / 224

69%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 242 / 797

69%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 87 / 284

69%

大类:Physics and Astronomy 小类:Surfaces, Coatings and Films Q2 42 / 132

68%

期刊评价指数

历年CiteScore与影响因子趋势图
历年自引率趋势图

中科院分区

历年中科院SCI大类分区数据展示

年份 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022
分区 3 区 3 区 4 区 4 区 4 区 3 区 3 区 3 区 3 区 3 区 4 区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
2023年12月升级版 工程技术 4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区 4区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
2022年12月升级版 工程技术 3区
OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技
3区 3区 4区 4区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
2021年12月旧的升级版 工程技术 3区
OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技
3区 3区 4区 4区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
2021年12月基础版 工程技术 4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区 4区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
2021年12月升级版 工程技术 3区
OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技
3区 3区 4区 4区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
2020年12月旧的升级版 工程技术 3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
3区 3区 3区 3区

中科院分区表为学术投稿提供参考,支撑科研管理部门的宏观判断,有助于科研人员选择合适期刊投稿,并为学术评价提供客观依据。中科院SCI论文分区与国际SCI期刊体系相衔接,促进了中国与其他国家在科研领域的交流与合作。

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