Ieee Transactions On Circuits And Systems I-regular Papers
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  • 国际简称:IEEE T CIRCUITS-I
  • 参考译名:IEEE Transactions On Circuits And Systems I-常规论文
  • ISSN:1549-8328
  • E-ISSN:1558-0806

Ieee Transactions On Circuits And Systems I-regular Papers

杂志介绍:

Ieee Transactions On Circuits And Systems I-regular Papers是一本以工程电子与电气为研究方向的国际优秀学术杂志,是由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版的一本English杂志,该杂志定期发表与工程电子与电气研究领域相关的原创研究论文、简短交流和评论、实验室研究文档以及行业研究的高水平学术成果、最新科研理论。为全球同行业研究人员架起沟通的桥梁,致力于加速该领域的发展,为该领域的发展做出重要贡献。

  • Q1 JCR分区
  • 2区 中科院分区
  • SCISCIE 数据库收录
  • 5.6 影响因子
基本信息:
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版年份:1992
CiteScore:10.1
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
出版地区:UNITED STATES
是否OA:未开放
SJR:1.947
年发文量:749
出版周期:Monthly
是否预警:
SNIP:2.183
文章自引率:0.1176...
出版语言:English
H-index:149
Gold OA文章占比:4.18%
研究类文章占比:100.00%

Ieee Transactions On Circuits And Systems I-regular Papers杂志简介

Ieee Transactions On Circuits And Systems I-regular Papers杂志是一本国际优秀期刊,是一本未开放获取期刊。该杂志近三年影响因子分别为:2026年5.6、2025年5.2、2024年5.2。该杂志近三年CiteScore评价值分别为:2025年10.1、2024年10.6、2023年9.8。该刊专门致力于推进工程电子与电气领域的研究,涵盖了工程电子与电气领域的各个方面,汇集所有专家,促进工程电子与电气领域的更好协作和信息共享。该期刊为工程电子与电气领域的科研人员提供了一个高影响力的论坛,使该领域的科研人员、从业人员和学生能够接触到尖端的经验性调查分析、学术对话以及行业科研成果的最新发展。通过收录高质量的原创论文和评论论文,促进工程电子与电气领域的应用与发展。该期刊还将该领域的创新与应用,以提高研究的质量和实用性。近年来在该刊上发文的国家和地区主要有:Vietnam(发文量1)、Uruguay(发文量2)、Ukraine(发文量2)、USA(发文量326)、UNITED ARAB EMIRATES(发文量4)、Turkey(发文量10)。

Ieee Transactions On Circuits And Systems I-regular Papers是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社发行的知名工程电子与电气期刊。该杂志社联系方式IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。审稿过程是确保期刊质量的关键环节。Ieee Transactions On Circuits And Systems I-regular Papers杂志的审稿速度平均需要一般,3-6周。这一时间周期既体现了编辑部对稿件质量的严格把关,也反映了审稿专家对学术研究的尊重和支持。在这个过程中,作者们可以充分利用这段时间对自己的研究成果进行完善和优化,以提高论文的质量和影响力。如果您对该期刊感兴趣,并希望了解更多关于投稿流程、投稿要求和技巧的信息,您可以咨询本站的客服老师,我们将帮助您了解期刊的投稿要求、审稿流程以及可能遇到的问题,并根据您的具体情况提供相应的建议和解决方案。

Ieee Transactions On Circuits And Systems I-regular Papers杂志近期中国学者发表的论文主要有:

  • 1、A Fully Integrated Stimulator With High Electrode Voltage Using Hybrid Dynamic Bulk Biasing Technique and Charge-Pump-Like Control Technique in a Bulk CMOS Technolog Author: Zhou, Yixin; Wu, Jialei; Yin, Simeng; Li, Zihan; Zhou, Zhijun; Li, Wen-Yuan; Wang, Zhi-Gong; Meng, Fanyi; Yeo, Kiat Seng; Ma, Kaixue; Wang, Keping
  • 2、A Noise-Shaping-SAR Multiplexed Light-to-Digital Converter With Passive Nested Feedback and Predictive Baseline Current Compensation Achieving 95-dB SNDR and 161.5-dB D Author: Gao, Yun-Hung; Fan, Chun-Ho; Li, Junwen; Li, Shumeng; Jin, Ziwei; Leung, Ka Nang; Zhang, Yuan-Ting; Tang, Xian; Pun, Kong-Pang
  • 3、A 39.4-μW 915-MHz Third-Harmonic Mixing Receiver With On-Chip LO Achieving-86-dBm Sensitivity and Multichannel Selectio Author: Chen, Binbin; Ren, Heyu; Gong, Wenjun; Li, Sirou; Wu, Xing; Lyu, Liangjian; Shi, C. -J. Richard
  • 4、A 24-30-GHz Sideband Reuse Transmitter With High IRR and High LOFT Suppression in 180-nm CMO Author: Jiang, Qiuxi; Shen, Yizhu; Wang, Yifan; Zhang, Kaibo; Hu, Sanming
  • 5、A 1024-Ch 583-nW/Ch Spike-Sorting SoC With Sparsity-Aware Spike Detection Scratchpad and Ultra-Low-Leakage Dual-Voltage 5T-SRAM for 16K-Template Clusterin Author: Jiang, Hao; Chen, Zexing; Lu, Jiajun; He, Siqi; Lyu, Liangjian; Xu, Jiamin; Yang, Jianguo; Liu, Shiwei; Chen, Yingping; Chen, Chixiao; Liu, Qi; Liu, Ming
  • 6、A 0.65-V 2-mW Multi-Mode CMOS GNSS Receiver With Gm-C RF Quadrature-Current-Generation Technique and Folded Class-AB Amplifie Author: Chen, Chao; Xiang, Wenchen; Su, Xiaodong; Chen, Jiuchun

WOS(JCR)分区

2025-2026年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 72 / 369

80.6

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 70 / 371

81.27

2024-2025年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 73 / 368

80.3

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 61 / 368

83.56

2023-2024年最新版

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 61 / 352

82.8

学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 70 / 354

80.37

WOS(JCR)分区是科睿唯安公司制定的分区,每年出版一本《期刊引用报告》)。JCR分区可以帮助学者和研究人员选择合适的期刊发表自己的研究成果,提高论文的可见性和影响力。其次,JCR分区也是评估学者和研究机构绩效的重要指标之一。许多高校和科研机构会根据研究人员发表的论文数量和影响因子来评估其学术水平和研究能力。

CiteScore(2026年6月最新版)

CiteScore SJR SNIP 学科类别 分区 排名 百分位
10.1 1.947 2.183 大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q1 108 / 1030

89%

大类:Engineering 小类:Hardware and Architecture Q1 30 / 245

87%

期刊评价指数

历年CiteScore与影响因子趋势图
历年自引率趋势图

中科院分区

历年中科院SCI大类分区数据展示

年份 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025
分区 2 区 2 区 2 区 2 区 2 区 3 区 1 区 2 区 2 区 2 区 1 区 2 区 2 区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
《新锐期刊分区表》
2026年3月发布
工程技术 2区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
期刊分区表
2025年3月升级版
工程技术 2区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
期刊分区表
2023年12月升级版
工程技术 1区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
期刊分区表
2022年12月升级版
工程技术 2区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
期刊分区表
2021年12月升级版
工程技术 2区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
期刊分区表
2021年12月基础版
工程技术 3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
3区
中科院SCI分区 大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
期刊分区表
2020年12月升级版
工程技术 2区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
2区

中科院分区表为学术投稿提供参考,支撑科研管理部门的宏观判断,有助于科研人员选择合适期刊投稿,并为学术评价提供客观依据。中科院SCI论文分区与国际SCI期刊体系相衔接,促进了中国与其他国家在科研领域的交流与合作。

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