摘要：采用高温煅烧法成功制备了块状g-C3N4和g-C3N4纳米材料,利用XRD、SEM、FT-IR、UV-Vis、PL等方法对材料进行表征,并研究其降解头孢曲松钠的光催化活性和机理。当降解时间为120 min、头孢曲松钠质量浓度为10 mg/mL、半导体材料的加入量为0.1 g时,块状g-C3N4和g-C3N4纳米材料的降解率分别为67.74%和85.84%,g-C3N4纳米材料的光催化活性高于块状g-C3N4;对催化机制研究发现,空穴（h+）和羟基自由基（·OH）起主要催化作用,超氧自由基（·O2-）次之。对g-C3N4纳米材料的稳定性进行评价,3次循环催化后材料稳定性良好。

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