摘要:目的探讨了青少年网络成瘾者(IAD)的事件相关电位P300的变化及影响。方法对本院IAD者76例及选择同期健康对照组76例,进行事件相关电位检测,比较两组事件相关电位P300中N2、P3潜伏期延长,P3波幅的变化。结果IAD者N2、P3潜伏期延长与对照组比较差异均无统计学意义(P〉0.05),而N2、P3波幅明显降低对照组(t=3.91,11.33,P〈0.01)。结论青少年IAD者N2、P3波幅明显降低,其认知功能有一定的损害。疑有青少年网络成瘾者应进行事件相关电位筛查,对降低青少年网络成瘾其有指导意义。
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