《半导体光电》期刊提供以下投稿方式及注意事项:
一、在线投稿:通过期刊官网在线投稿,系统支持稿件上传、进度查询及审稿意见反馈,需注册账号后提交。
二、邮箱投稿:部分栏目接受邮箱投稿,《半导体光电》期刊地址:重庆市南岸区南坪花园路14号。
三、注意事项:在投稿前,务必仔细阅读投稿指南和要求,确保稿件内容、格式等方面符合要求。
投稿须知:
(一)摘要中不出现图、表、化学结构式和非公知用的符号和术语,也不宜引用文中图、表、公式和参考文献的序号。关键词一般选用3~5个叙词,中英文相一致。
(二)“作者简介”的格式如下:作者简介包括:姓名、学位、职称、研究方向,研究生文章需其导师任通讯作者,并注明通讯作者的职称、是否硕博导师。
(三)正文采用宋体五号。凡另起一行的整段引文用五号楷体,前(左)面缩进四格,后 (右)面不缩进。
(四)参考文献在文中需用括号表示著者和出版年信息,例如(王玲,1983),著录根据《信息与文献 参考文献著录规则》(GB/T 7714—2015)国家标准的规定执行。
(五)作者请自留底稿,3个月内未收到采用通知可自行处理。因本刊人手有限,来稿恕不退还,请多谅解。
保持联系畅通:在投稿后,保持联系方式畅通,以便编辑部在审核过程中能够及时与作者沟通。
耐心等待审核:由于编辑部工作量较大,审核过程可能需要一定时间,预计审稿时间为:1-3个月,作者应耐心等待审核结果,并避免频繁催稿。
综上所述,向《半导体光电》期刊投稿可以选择在线投稿或邮箱投稿两种方式。在投稿过程中,作者应仔细阅读投稿指南和要求,确保稿件内容、格式等方面符合要求,并保持联系方式畅通以便与编辑部沟通。
《半导体光电》期刊是一本在我国电子领域具有广泛影响力的学术期刊。它致力于为电子理论研究者和电子实践工作者搭建交流平台,全方位展示电子领域的前沿成果与实践经验,创刊于1976年,是由中国电子科技集团有限公司主管,重庆光电技术研究所主办的学术理论期刊,国际刊号:1001-5868,国内刊号:50-1092/TN。
半导体光电发表范例
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选择区域外延生长中掩模介质表面Ga原子的迁移特性
作者:杨杭; 邢洁莹; 陈伟杰; 陈杰; 韩小标; 钟昌明; 梁捷智; 黄德佳; 侯雅倩; 吴志盛; 张佰君
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CH3NH3PbI3钙钛矿太阳电池晶粒尺寸及光电性能调控
作者:郑建强; 陈涛; 倪斌; 范炜盛; 程国庆; 王玉琦
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基于CMOS工艺的抗光噪声神经微电极
作者:王飞; 张雪莲; 裴为华; 陈弘达
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全透明低回滞s-SWCNT/AgNW薄膜晶体管的可控制备
作者:吕前进; 余小芹; 吕正霞; 高冰; 张小品; 邱松; 金赫华; 门传玲; 李清文
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膜厚对泡沫镍负载TiO2纳米薄膜附着度和光电响应的影响
作者:王雅琨; 刘明生; 李燕; 杨新荣
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基于光波导的高耦合效率垂直耦合结构设计
作者:来新泉; 王一鸣; 刘晨; 张凌飞
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PCB板级电路中高效散热结构的优化设计
作者:刘维红; 李丹
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Pt负载型TiO2纳米管阵列的制备及其紫外探测性能
作者:程宏伟; 李刚; 郭丽芳; 程再军
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改型Wollaston棱镜干涉光谱仪的调制度研究
作者:丛麟骁; 黄旻; 才啟胜; 齐云松
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卫星星内漫反射无线光通信系统设计
作者:张子儒; 张冬冬; 丁雷
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