集成电路应用杂志可以通过哪些方式投稿?

《集成电路应用》期刊提供以下投稿方式及注意事项:

一、在线投稿:通过期刊官网在线投稿,系统支持稿件上传、进度查询及审稿意见反馈,需注册账号后提交。

二、邮箱投稿:部分栏目接受邮箱投稿,《集成电路应用》期刊地址:上海市宜山路810号中电贝岭大厦17层。

三、注意事项:在投稿前,务必仔细阅读投稿指南和要求,确保稿件内容、格式等方面符合要求。

投稿须知:

(一)应尽量简洁、准确,一般不超过20字。

(二)参考文献附于正文之后,所列文献必须是文中提及的,与正文相对应的。

(三)文章关键要素,需有英文摘要。

(四)来稿须为作者本人原创,且未公开发表,稿件内容要求文字精炼、层次清晰、观点鲜明。来稿确保不涉及保密信息、署名无争议,因文字、引注、图片等引发的观点或版权问题,皆由作者本人承担。

(五)借喻词一般需用“”号;课题名用“”号,不用“《》”。

保持联系畅通:在投稿后,保持联系方式畅通,以便编辑部在审核过程中能够及时与作者沟通。

耐心等待审核:由于编辑部工作量较大,审核过程可能需要一定时间,预计审稿时间为:1个月内,作者应耐心等待审核结果,并避免频繁催稿。

综上所述,向《集成电路应用》期刊投稿可以选择在线投稿或邮箱投稿两种方式。在投稿过程中,作者应仔细阅读投稿指南和要求,确保稿件内容、格式等方面符合要求,并保持联系方式畅通以便与编辑部沟通。

《集成电路应用》期刊是一本在我国电力领域具有广泛影响力的学术期刊。它致力于为电力理论研究者和电力实践工作者搭建交流平台,全方位展示电力领域的前沿成果与实践经验,创刊于1984年,是由中国电子信息产业集团有限公司主管,上海贝岭股份有限公司主办的学术理论期刊,国际刊号:1674-2583,国内刊号:31-1325/TN。

集成电路应用发表范例

  • 28 nm锗硅工艺极微小颗粒缺陷监控方法与改善措施研究

    作者:龙吟; 范荣伟; 罗兴华

  • LDD后热处理工艺对28 nm PMOSFET短沟道效应的影响

    作者:朱巧智; 刘巍; 李润领

  • 40 nm CMOS工艺平台多叉指NMOS器件设计与截止频率提升

    作者:王全; 刘林林; 冯悦怡

  • 一种通过优化热处理条件提升CIS器件性能的方法

    作者:王艳生; 焦爽; 秋沉沉; 徐炯

  • 金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响

    作者:黄庆丰

  • 射频器件在片测试结构与去嵌入方法

    作者:王全; 刘林林; 冯悦怡

  • 多腔体密封集成电路的颗粒碰撞噪声检测PIND研究

    作者:李秋枫

  • 基于图像分析的CD-SEM显微视觉清晰度检测技术研究

    作者:姜国伟; 田宝; 章屠灵

  • 一种应用于半导体制造业的支持向量机SVM检测方法

    作者:王艳生; 俞微; 魏峥颖

  • CTP触控模组表面贴装SMT工艺研究

    作者:黄贵松; 邓雄; 崔卫星

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