集成电路应用杂志退回来的稿件怎么修改?

当稿件被《集成电路应用》期刊退修后,可按以下流程进行修改,以提高录用概率:

一、分析退稿原因

1.‌仔细阅读退稿通知:明确编辑或审稿人指出的问题,如选题不符、创新性不足、数据缺陷或语言表达问题‌。

2.区分退稿类型:可修改退稿、拒稿(若意见表明“研究方向不符”,建议改投其他期刊)

二、针对性修改策略

1.深入探讨研究问题,提供更全面、深入的分析和讨论。

2.增加相关理论背景和文献综述,以支持研究论点的合理性和创新性。

三、重新投稿准备

1.‌附修改说明:逐条回应审稿意见,说明修改内容及依据。

2.核对期刊要求:

(一)应尽量简洁、准确,一般不超过20字。

(二)参考文献附于正文之后,所列文献必须是文中提及的,与正文相对应的。

(三)文章关键要素,需有英文摘要。

(四)来稿须为作者本人原创,且未公开发表,稿件内容要求文字精炼、层次清晰、观点鲜明。来稿确保不涉及保密信息、署名无争议,因文字、引注、图片等引发的观点或版权问题,皆由作者本人承担。

(五)借喻词一般需用“”号;课题名用“”号,不用“《》”。

综上所述,通过不断地修改和完善,提高稿件的质量和学术水平,增加被期刊录用的机会。

《集成电路应用》是一本在电力领域具有较高影响力的学术理论期刊,于1984年创刊,由中国电子信息产业集团有限公司主管,上海贝岭股份有限公司主办,为月刊,国内统一刊号为CN:31-1325/TN,国际标准刊号为ISSN:1674-2583。

该刊设置了产业评论、市场分析、设计与研究、工艺与制造、创新应用、新产品、区域动态、读者信箱等栏目,覆盖电力领域多个研究方向,以反映电力领域的最新动态和发展趋势。

集成电路应用发表范例

  • 28 nm锗硅工艺极微小颗粒缺陷监控方法与改善措施研究

    作者:龙吟; 范荣伟; 罗兴华

  • LDD后热处理工艺对28 nm PMOSFET短沟道效应的影响

    作者:朱巧智; 刘巍; 李润领

  • 40 nm CMOS工艺平台多叉指NMOS器件设计与截止频率提升

    作者:王全; 刘林林; 冯悦怡

  • 一种通过优化热处理条件提升CIS器件性能的方法

    作者:王艳生; 焦爽; 秋沉沉; 徐炯

  • 金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响

    作者:黄庆丰

  • 射频器件在片测试结构与去嵌入方法

    作者:王全; 刘林林; 冯悦怡

  • 多腔体密封集成电路的颗粒碰撞噪声检测PIND研究

    作者:李秋枫

  • 基于图像分析的CD-SEM显微视觉清晰度检测技术研究

    作者:姜国伟; 田宝; 章屠灵

  • 一种应用于半导体制造业的支持向量机SVM检测方法

    作者:王艳生; 俞微; 魏峥颖

  • CTP触控模组表面贴装SMT工艺研究

    作者:黄贵松; 邓雄; 崔卫星

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